আদর্শের পছন্দলেজার উৎস: প্রান্ত নির্গমনসেমিকন্ডাক্টর লেজারদ্বিতীয় পর্ব
৪. প্রান্ত-নিঃসরণ সেমিকন্ডাক্টর লেজারের প্রয়োগের অবস্থা
এর বিস্তৃত তরঙ্গদৈর্ঘ্য পরিসর এবং উচ্চ ক্ষমতার কারণে, প্রান্ত-নিঃসরণকারী সেমিকন্ডাক্টর লেজারগুলি স্বয়ংচালিত, অপটিক্যাল যোগাযোগ এবং আরও অনেক ক্ষেত্রে সফলভাবে প্রয়োগ করা হয়েছে।লেজারচিকিৎসা। আন্তর্জাতিকভাবে খ্যাতিসম্পন্ন বাজার গবেষণা সংস্থা ইয়োল ডেভেলপমেন্টের মতে, এজ-টু-এমিট লেজার বাজার ২০২৭ সালে ৭.৪ বিলিয়ন ডলারে উন্নীত হবে, যার চক্রবৃদ্ধি বার্ষিক বৃদ্ধির হার ১৩%। এই প্রবৃদ্ধি অপটিক্যাল কমিউনিকেশন দ্বারা চালিত হতে থাকবে, যেমন ডেটা কমিউনিকেশন এবং টেলিকমিউনিকেশনের জন্য অপটিক্যাল মডিউল, অ্যামপ্লিফায়ার এবং ৩ডি সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশন। বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের প্রয়োজনীয়তার জন্য, শিল্পে বিভিন্ন EEL কাঠামোর নকশা পরিকল্পনা তৈরি করা হয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে: ফ্যাব্রিপেরো (FP) সেমিকন্ডাক্টর লেজার, ডিস্ট্রিবিউটেড ব্র্যাগ রিফ্লেক্টর (DBR) সেমিকন্ডাক্টর লেজার, এক্সটার্নাল ক্যাভিটি লেজার (ECL) সেমিকন্ডাক্টর লেজার, ডিস্ট্রিবিউটেড ফিডব্যাক সেমিকন্ডাক্টর লেজার।ডিএফবি লেজার), কোয়ান্টাম ক্যাসকেড সেমিকন্ডাক্টর লেজার (QCL), এবং ওয়াইড এরিয়া লেজার ডায়োড (BALD)।
অপটিক্যাল কমিউনিকেশন, থ্রিডি সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশন এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ক্রমবর্ধমান চাহিদার সাথে সাথে সেমিকন্ডাক্টর লেজারের চাহিদাও বাড়ছে। এছাড়াও, এজ-এমিটিং সেমিকন্ডাক্টর লেজার এবং ভার্টিক্যাল-ক্যাভিটি সারফেস-এমিটিং সেমিকন্ডাক্টর লেজারও উদীয়মান অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে একে অপরের ঘাটতি পূরণে ভূমিকা পালন করে, যেমন:
(1) অপটিক্যাল যোগাযোগের ক্ষেত্রে, 2 কিমি থেকে 40 কিমি পর্যন্ত ট্রান্সমিশন দূরত্বে এবং 40 Gbps পর্যন্ত ট্রান্সমিশন হারে 1550 nm InGaAsP/InP ডিস্ট্রিবিউটেড ফিডব্যাক (DFB লেজার) EEL এবং 1300 nm InGaAsP/InGaP ফ্যাব্রি পেরো EEL সাধারণত ব্যবহৃত হয়। তবে, 60 মি থেকে 300 মি ট্রান্সমিশন দূরত্বে এবং কম ট্রান্সমিশন গতিতে, 850 nm InGaAs এবং AlGaAs ভিত্তিক VCsel-এর প্রাধান্য বেশি।
(2) উল্লম্ব গহ্বর পৃষ্ঠ-নিঃসরণকারী লেজারগুলির ছোট আকার এবং সংকীর্ণ তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সুবিধা রয়েছে, তাই সেগুলি ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স বাজারে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে, এবং প্রান্ত-নিঃসরণকারী সেমিকন্ডাক্টর লেজারগুলির উজ্জ্বলতা এবং শক্তির সুবিধাগুলি দূরবর্তী সংবেদন অ্যাপ্লিকেশন এবং উচ্চ-ক্ষমতা প্রক্রিয়াকরণের পথ প্রশস্ত করে।
(3) ব্লাইন্ড স্পট সনাক্তকরণ এবং লেন ডিপারচারের মতো নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনগুলি অর্জনের জন্য স্বল্প এবং মাঝারি-পাল্লার liDAR-এর জন্য এজ-এমিটিং সেমিকন্ডাক্টর লেজার এবং ভার্টিক্যাল ক্যাভিটি সারফেস-এমিটিং সেমিকন্ডাক্টর লেজার উভয়ই ব্যবহার করা যেতে পারে।
৫. ভবিষ্যৎ উন্নয়ন
এজ-এমিটিং সেমিকন্ডাক্টর লেজারের উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা, ক্ষুদ্রাকৃতি এবং উচ্চ আলোক শক্তি ঘনত্বের মতো সুবিধা রয়েছে এবং অপটিক্যাল কমিউনিকেশন, লাইডার (liDAR), চিকিৎসা ও অন্যান্য ক্ষেত্রে এর ব্যাপক প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে। তবে, যদিও এজ-এমিটিং সেমিকন্ডাক্টর লেজারের উৎপাদন প্রক্রিয়া তুলনামূলকভাবে পরিপক্ক হয়েছে, শিল্প ও ভোক্তা বাজারের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে এর প্রযুক্তি, প্রক্রিয়া, কর্মক্ষমতা এবং অন্যান্য দিকগুলির ক্রমাগত উন্নতি করা প্রয়োজন। এর মধ্যে রয়েছে: ওয়েফারের অভ্যন্তরে ত্রুটির ঘনত্ব কমানো; প্রক্রিয়াকরণ পদ্ধতি হ্রাস করা; ত্রুটিপ্রবণ প্রচলিত গ্রাইন্ডিং হুইল এবং ব্লেড ওয়েফার কাটিং প্রক্রিয়া প্রতিস্থাপনের জন্য নতুন প্রযুক্তি উদ্ভাবন করা; এজ-এমিটিং লেজারের কার্যকারিতা উন্নত করতে এপিটেক্সিয়াল কাঠামোর উন্নতি করা; উৎপাদন খরচ কমানো ইত্যাদি। এছাড়াও, যেহেতু এজ-এমিটিং লেজারের নির্গত আলো সেমিকন্ডাক্টর লেজার চিপের পার্শ্ব প্রান্তে থাকে, তাই ছোট আকারের চিপ প্যাকেজিং অর্জন করা কঠিন, ফলে সংশ্লিষ্ট প্যাকেজিং প্রক্রিয়ায় এখনও আরও অগ্রগতির প্রয়োজন রয়েছে।
পোস্ট করার সময়: ২২-জানুয়ারি-২০২৪