Rof ইনটেনসিটি মডুলেটর থিন ফিল্ম লিথিয়াম নাইওবেট মডুলেটর 40G TFLN মডুলেটর

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

ইনসুলেটরের উপর পাতলা ফিল্ম লিথিয়াম নায়োবেট (LNOI) উপাদানটি বাল্ক লিথিয়াম নায়োবেট উপাদানের চমৎকার ইলেকট্রো-অপটিক বৈশিষ্ট্য ধারণ করে, যা উচ্চ-গতির ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেটর চিপের জন্য একটি নতুন সমাধান প্রদান করে, যা সমন্বিত, ক্ষুদ্রাকৃতির এবং উচ্চ মডুলেশন দক্ষতাসম্পন্ন হতে পারে। আমরা LNOI উপাদানের উপর ভিত্তি করে একটি ওয়াইডব্যান্ড, নিম্ন হাফ ওয়েভ ভোল্টেজের পাতলা ফিল্ম LiNbO3 ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেটর তৈরি করেছি। আমাদের পণ্যটিতে উচ্চ স্থিতিশীলতা, কম ইনসারশন লস এবং ছোট আকারের মতো চমৎকার বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা প্রচলিত বাল্ক উপাদান লিথিয়াম নায়োবেট মডুলেটরের চেয়ে বেশি সুবিধাজনক এবং উচ্চ-গতির অপটিক্যাল যোগাযোগ ও মাইক্রোওয়েভ ফোটোনিক্স ক্ষেত্রে এর ব্যাপক প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।


পণ্যের বিবরণ

রোফিয়া অপ্টোইলেক্ট্রনিক্স অপটিক্যাল এবং ফোটোনিক্স ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটর পণ্য সরবরাহ করে।

পণ্যের ট্যাগ

বৈশিষ্ট্য

উচ্চ ব্যান্ডউইথ, কম লস, কম ড্রাইভিং ভোল্টেজ, ছোট আকার, উচ্চ স্থিতিশীলতা

 

মাঠ

উচ্চ গতির অপটিক্যাল যোগাযোগ, মাইক্রোওয়েভ ফোটোনিক্স, রাডার, ইত্যাদি

Rof EOM ইনটেনসিটি মডুলেটর 20G থিন ফিল্ম লিথিয়াম নায়োবেট মডুলেটর TFLN মডুলেটর

প্যারামিটার

Pপ্যারামিটার

Sym

সূচক

ইউনিট

কার্যকরী তরঙ্গদৈর্ঘ্য

λ

১৫৩০~১৫৬৫

nm

অপটিক্যাল ইনসারশন লস

IL

≤ ৫.৫ (সাধারণত ৪.৫)

dB

বিলুপ্তির অনুপাত

ER

≥ ২৫

dB

অপটিক্যাল রিটার্ন লস

RL

≤ -৩০

dB

সর্বোচ্চ ইনপুট অপটিক্যাল শক্তি

Pin

≤ ২০০

mW

ইলেক্ট্রো অপটিক মডুলেশন ব্যান্ডউইথ (৩ডিবি, ২গিগাহার্জ থেকে)

BW

≥ ৪০

গিগাহার্টজ

আরএফ অর্ধ তরঙ্গ ভোল্টেজ @ ৫০ কিলোহার্টজ

≤ ৩.৫

V

আরএফ প্রতিফলন

S11

≤ -১০

dB

সর্বোচ্চ আরএফ ইনপুট পাওয়ার

Sin

≤ ২৫

dBm

তাপীয় বায়াস অর্ধ তরঙ্গ শক্তি

50

mW

তাপীয় বায়াস ভোল্টেজ

Uহিটার

V

অপারেটিং তাপমাত্রা

TO

-৫৫~৮৫

সংরক্ষণের তাপমাত্রা

TS

-৫৫~৮৫

 

অর্ডার তথ্য

 

Sym

Dবর্ণনা

ঐচ্ছিক প্যারামিটার

λ

কার্যকরী তরঙ্গদৈর্ঘ্য সি (~১৫৫০এনএম)O (~১৩১০nm)

BW

৩ডিবি ব্যান্ডউইথ 40(40GHz)

PD

পিডি পর্যবেক্ষণ ১ (সমন্বিত), ০ (সমন্বিত নয়)

IF

ইনপুট ফাইবার অপটিক পি (পোলারাইজেশন বজায় রাখা ফাইবার)

OF

আউটপুট ফাইবার অপটিক P (পোলারাইজেশন মেইনটেইনিং ফাইবার), S (স্ট্যান্ডার্ড সিঙ্গেল-মোড ফাইবার)

S

অর্ধ তরঙ্গ ভোল্টেজ এস স্ট্যান্ডার্ড

প্যাকেজের আকার এবং পিনের সংজ্ঞা

Pসংজ্ঞা অনুসারে:

Sটিচ

Fঅভিষেক

RF

আরএফ ইনপুট, ১.৮৫ মিমি ফিমেল হেড

A

থার্মোস্ট্যাটিক বায়াস ইলেক্ট্রোড (ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক)

B

থার্মোস্ট্যাটিক বায়াস ইলেক্ট্রোড

C

ব্যাকআপ থার্মাল অ্যাডজাস্টমেন্ট বায়াস ইলেক্ট্রোড

D

ব্যাকআপ থার্মাল অ্যাডজাস্টমেন্ট বায়াস ইলেক্ট্রোড

 

 

 


  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী:

  • রোফিয়া অপ্টোইলেক্ট্রনিক্স বাণিজ্যিক ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটর, ফেজ মডুলেটর, ইনটেনসিটি মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার আলোক উৎস, ডিএফবি লেজার, অপটিক্যাল অ্যামপ্লিফায়ার, ইডিএফএ, এসএলডি লেজার, কিউপিএসকে মডুলেশন, পালস লেজার, লাইট ডিটেক্টর, ব্যালান্সড ফটোডিটেক্টর, লেজার ড্রাইভার, ফাইবার অপটিক অ্যামপ্লিফায়ার, অপটিক্যাল পাওয়ার মিটার, ব্রডব্যান্ড লেজার, টিউনেবল লেজার, অপটিক্যাল ডিটেক্টর, লেজার ডায়োড ড্রাইভার এবং ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ারের মতো পণ্য সম্ভার সরবরাহ করে। এছাড়াও আমরা কাস্টমাইজেশনের জন্য অনেক বিশেষ মডুলেটর সরবরাহ করি, যেমন ১*৪ অ্যারে ফেজ মডুলেটর, অতি-নিম্ন ভিপিআই (Vpi), এবং অতি-উচ্চ এক্সটিংশন রেশিও মডুলেটর, যা প্রধানত বিশ্ববিদ্যালয় এবং ইনস্টিটিউটগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
    আশা করি আমাদের পণ্যগুলো আপনার এবং আপনার গবেষণার জন্য সহায়ক হবে।

    সম্পর্কিত পণ্য