সিলিকন ফোটোনিক ম্যাক-জেহেন্ডার মডুলেটর উপস্থাপন করুনএমজেডএম মডুলেটর
400G/800G সিলিকন ফোটোনিক মডিউলের ট্রান্সমিটার প্রান্তে ম্যাক-জেহেন্ডার মডুলেটর হলো সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ উপাদান। বর্তমানে, ব্যাপকভাবে উৎপাদিত সিলিকন ফোটোনিক মডিউলের ট্রান্সমিটার প্রান্তে দুই ধরনের মডুলেটর রয়েছে: এক ধরনের হলো PAM4 মডুলেটর, যা একক-চ্যানেল 100Gbps কার্যপ্রণালীর উপর ভিত্তি করে তৈরি। এটি 4-চ্যানেল / 8-চ্যানেল সমান্তরাল পদ্ধতির মাধ্যমে 800Gbps ডেটা ট্রান্সমিশন অর্জন করে এবং প্রধানত ডেটা সেন্টার ও জিপিইউ-তে ব্যবহৃত হয়। অবশ্যই, ব্যাপক উৎপাদনের পর 100Gbps গতিতে EML-এর সাথে প্রতিযোগিতা করবে এমন একটি একক-চ্যানেল 200Gbps সিলিকন ফোটোনিক্স ম্যাক-জেহেন্ডার মডুলেটর খুব বেশি দূরে থাকা উচিত নয়। দ্বিতীয় ধরনের হলো...আইকিউ মডুলেটরদূরপাল্লার সুসংগত অপটিক্যাল যোগাযোগে প্রয়োগ করা হয়। বর্তমান পর্যায়ে উল্লিখিত সুসংগত সিঙ্কিং বলতে মেট্রোপলিটন ব্যাকবোন নেটওয়ার্কের হাজার হাজার কিলোমিটার থেকে শুরু করে ZR অপটিক্যাল মডিউলের ৮০ থেকে ১২০ কিলোমিটার এবং ভবিষ্যতে LR অপটিক্যাল মডিউলের ১০ কিলোমিটার পর্যন্ত সঞ্চালন দূরত্বকে বোঝায়।
উচ্চ-গতির নীতিসিলিকন মডুলেটরএকে দুটি ভাগে ভাগ করা যায়: আলোকবিজ্ঞান এবং বিদ্যুৎ।
অপটিক্যাল অংশ: এর মূল নীতি হলো একটি ম্যাক-জেহেন্ডার ইন্টারফেরোমিটার। একটি আলোক রশ্মি একটি ৫০-৫০ বিম স্প্লিটারের মধ্য দিয়ে গিয়ে সমান শক্তির দুটি আলোক রশ্মিতে পরিণত হয়, যা মডুলেটরের দুটি বাহুর মধ্যে দিয়ে সঞ্চারিত হতে থাকে। বাহু দুটির একটির ফেজ নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে (অর্থাৎ, একটি হিটারের সাহায্যে সিলিকনের প্রতিসরাঙ্ক পরিবর্তন করে একটি বাহুর সঞ্চালন গতি পরিবর্তন করা হয়), উভয় বাহুর নির্গমন পথে চূড়ান্ত রশ্মি সংমিশ্রণ সম্পন্ন করা হয়। ইন্টারফেরেন্সের মাধ্যমে ইন্টারফেরেন্স ফেজ দৈর্ঘ্য (যেখানে উভয় বাহুর শীর্ষবিন্দু একই সাথে পৌঁছায়) এবং ইন্টারফেরেন্স বাতিলকরণ (যেখানে ফেজ পার্থক্য ৯০° হয় এবং শীর্ষবিন্দুগুলো নিম্নবিন্দুর বিপরীতে থাকে) অর্জন করা যায়, যার ফলে আলোর তীব্রতা মডুলেট হয় (যা ডিজিটাল সিগন্যালে ১ এবং ০ হিসাবে বোঝা যেতে পারে)। এটি একটি সহজবোধ্য ধারণা এবং ব্যবহারিক কাজে ওয়ার্কিং পয়েন্ট নিয়ন্ত্রণের একটি পদ্ধতিও বটে। উদাহরণস্বরূপ, ডেটা কমিউনিকেশনে আমরা শীর্ষবিন্দুর চেয়ে ৩ ডিবি কম একটি পয়েন্টে কাজ করি এবং কোহেরেন্ট কমিউনিকেশনে আমরা কোনো আলোকবিন্দু ছাড়াই কাজ করি। তবে, উত্তাপন এবং তাপ নিঃসরণের মাধ্যমে দশা পার্থক্য নিয়ন্ত্রণ করে আউটপুট সংকেত নিয়ন্ত্রণের এই পদ্ধতিটি অত্যন্ত সময়সাপেক্ষ এবং এটি প্রতি সেকেন্ডে ১০০ জিবিপিএস প্রেরণের আমাদের চাহিদা পূরণ করতে পারে না। সুতরাং, আমাদের আরও দ্রুত মডুলেশন হার অর্জনের একটি উপায় খুঁজে বের করতে হবে।
বৈদ্যুতিক অংশটি প্রধানত দুটি অংশ নিয়ে গঠিত: একটি হলো পিএন জংশন অংশ, যা উচ্চ কম্পাঙ্কে প্রতিসরাঙ্ক পরিবর্তন করে; এবং অন্যটি হলো ট্রাভেলিং ওয়েভ ইলেকট্রোড কাঠামো, যা বৈদ্যুতিক সংকেত এবং আলোক সংকেতের গতির সাথে সামঞ্জস্য বিধান করে। প্রতিসরাঙ্ক পরিবর্তনের মূলনীতিটি হলো প্লাজমা ডিসপারশন এফেক্ট, যা ফ্রি ক্যারিয়ার ডিসপারশন এফেক্ট নামেও পরিচিত। এটি এমন একটি ভৌত প্রভাবকে বোঝায় যেখানে কোনো সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে মুক্ত বাহকের ঘনত্ব পরিবর্তিত হলে, উপাদানটির নিজস্ব প্রতিসরাঙ্কের বাস্তব এবং কাল্পনিক অংশও সেই অনুযায়ী পরিবর্তিত হয়। যখন সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে বাহকের ঘনত্ব বৃদ্ধি পায়, তখন উপাদানটির শোষণ সহগ বৃদ্ধি পায় এবং প্রতিসরাঙ্কের বাস্তব অংশ হ্রাস পায়। একইভাবে, যখন সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে বাহকের সংখ্যা হ্রাস পায়, তখন শোষণ সহগ হ্রাস পায় এবং প্রতিসরাঙ্কের বাস্তব অংশ বৃদ্ধি পায়। এই ধরনের প্রভাবের মাধ্যমে, বাস্তব প্রয়োগে, ট্রান্সমিশন ওয়েভগাইডে বাহকের সংখ্যা নিয়ন্ত্রণ করে উচ্চ-কম্পাঙ্কের সংকেতের মডুলেশন অর্জন করা যায়। ফলস্বরূপ, আউটপুট অবস্থানে ০ এবং ১ সংকেত দেখা যায়, যা আলোর তীব্রতার বিস্তারের উপর উচ্চ-গতির বৈদ্যুতিক সংকেত লোড করে। এটি অর্জন করার উপায় হলো পিএন জংশন। বিশুদ্ধ সিলিকনের মুক্ত বাহকের সংখ্যা খুবই কম, এবং এই সংখ্যার পরিবর্তন প্রতিসরাঙ্কের পরিবর্তনের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ নয়। তাই, প্রতিসরাঙ্কের পরিবর্তন সাধনের জন্য ট্রান্সমিশন ওয়েভগাইডে সিলিকন ডোপিংয়ের মাধ্যমে বাহকের ভিত্তি বৃদ্ধি করা প্রয়োজন, যার ফলে উচ্চতর হারের মডুলেশন অর্জন করা যায়।
পোস্ট করার সময়: ১২-মে-২০২৫