ROF OCT সিস্টেম গেইন সামঞ্জস্যযোগ্য ব্যালেন্স ডিটেকশন মডিউল ১৫০ মেগাহার্টজ ব্যালেন্সড ফটোডিটেক্টর
বৈশিষ্ট্য
তরঙ্গদৈর্ঘ্য পরিসর: ৮৫০-১৬৫০ ন্যানোমিটার (ঐচ্ছিক: ৪০০-১১০০ ন্যানোমিটার)
3dB ব্যান্ডউইথ: DC-150 MHZ
কমন-মোড রিজেকশন রেশিও: > 25dB
গেইন সামঞ্জস্যযোগ্য: পাঁচটি গেইন গিয়ার সামঞ্জস্যযোগ্য।
আবেদন
⚫হেটেরোডাইন সনাক্তকরণ
⚫অপটিক্যাল বিলম্ব পরিমাপ
⚫অপটিক্যাল ফাইবার সেন্সিং সিস্টেম
⚫（অক্টোবর）
প্যারামিটার
কর্মক্ষমতা পরামিতি
| প্যারামিটার | প্রতীক | ROF-জিবিপিআর-১৫০এম-এ-ডিসি | ROF-জিবিপিআর-১৫০এম-বি-ডিসি |
| বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসর | λ | ৮৫০~১৬৫০ ন্যানোমিটার | ৪০০~১১০০ ন্যানোমিটার |
| ডিটেক্টর টাইপ |
| InGaAs / পিন | Si/PIN |
| প্রতিক্রিয়াশীলতা | R | ≥০।95@১৫৫০nm | ≥০.৫@৮৫০nm |
| ৩ডিবি ব্যান্ডউইথ | B | ডিসি - ১৫০, ৪৫, ৪, ০.৩, ০.১ মেগাহার্টজ | |
| সাধারণ মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত | সিএমআরআর | ＞২৫ ডিবি | |
| উচ্চ প্রতিরোধ অবস্থায় রূপান্তর লাভ | G | 103, ১০4, ১০5, ১০6, ১০7ভি/এ | |
| নয়েজ ভোল্টেজ | Vআরএমএস | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:৩০mVআরএমএস ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:১২mVআরএমএস ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:১০mVআরএমএস ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:৬mVআরএমএস | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:৩০mVআরএমএস ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:১২mVআরএমএস ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:১০mVআরএমএস ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:৬mVআরএমএস |
| সংবেদনশীলতা | S | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-60dBm ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-৪৭ডিবিএম ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-৪০ডিবিএম ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:-৩০ডিবিএম | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৫৭ডিবিএম ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-৪৪ডিবিএম ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-৩৭ডিবিএম ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:-২৭ডিবিএম |
| সম্পৃক্ত অপটিক্যাল শক্তি (CW) | Ps | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৩৩ডিবিএম ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-২৩ডিবিএম ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-১৩ডিবিএম ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:-৩ডিবিএম | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৩০ডিবিএম ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-২০ডিবিএম ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-10dBm ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:০ডিবিএম |
| অপারেটিং ভোল্টেজ | U | DC ±১৫V | |
| কার্যকরী বিদ্যুৎ | I | <১০০mA | |
| সর্বোচ্চ ইনপুট অপটিক্যাল শক্তি | Pসর্বোচ্চ | ১০mW | |
| আউটপুট প্রতিবন্ধকতা | R | ৫০Ω | |
| কার্যকরী তাপমাত্রা | Tw | -২০-৭০℃ | |
| সংরক্ষণের তাপমাত্রা | Ts | -৪০-৮৫℃ | |
| আউটপুট কাপলিং মোড | - | ডিফল্ট ডিসি কাপলিং (এসি কাপলিং ঐচ্ছিক) | |
| ইনপুট অপটিক্যাল সংযোগকারী | - | এফসি/এপিসি | |
| বৈদ্যুতিক আউটপুট ইন্টারফেস | - | এসএমএ | |
মাত্রা (মিমি)
তথ্য
অর্ডার করার তথ্য
| ROF | XXX | XX | X | XX | XX | X |
| BPR-- স্থির গেইন ব্যালেন্সড ডিটেক্টর জিবিপিআর-- গেইন অ্যাডজাস্টেবল ব্যালেন্স ডিটেক্টর | -৩ডিবি ব্যান্ডউইথ： ১০এম---১০মেগাহার্টজ ৮০মি---৮০মিHz ২০০ মিটার---২০০ মিটারHz 350M---350MHz ৪০০ মিটার---40০ মেগাহার্টজ 1G---1GHz ১.৬জি---১.৬গিগাহার্টজ
| কার্যকরী তরঙ্গদৈর্ঘ্য： এ---৮৫০~165০ ন্যানোমিটার (১৫৫০ ন্যানোমিটার) পরীক্ষা) বি---৩২০~১০০০এনএম (850nm পরীক্ষা) A1---900~1400nm (১০৬৪এনএম) পরীক্ষা) A2---1200~1700nm (১৩১০ ন্যানোমিটার) or ১৫৫০ ন্যানোমিটার পরীক্ষা) | ইনপুট টাইপ: এফসি----ফাইবার কাপলিং FS----মুক্ত স্থান | কাপলিং টাইপ： ডিসি---ডিসিকাপলিং | লাভের ধরণ: নাল-- স্বাভাবিক লাভ H--উচ্চ গেইনের প্রয়োজনীয়তা |
দ্রষ্টব্য:
১, ১০ মেগাবাইট, ৮০ মেগাহার্টজ, ২০০ মেগাহার্টজ, ৩৫০ মেগাহার্টজ এবং ৪০০ মেগাহার্টজ ব্যান্ডউইথের ডিটেক্টরগুলো এ এবং বি অপারেটিং ব্যান্ড সমর্থন করে; কাপলিং টাইপ হিসেবে এসি এবং ডিসি উভয় কাপলিংই ঐচ্ছিক।
২, ১ গিগাহার্টজ, ১.৬ গিগাহার্টজ, এ১ এবং এ২ ওয়ার্কিং ব্যান্ড সমর্থন করে; কাপলিং টাইপ: শুধুমাত্র এসি কাপলিং সমর্থিত।
৩, ওয়ার্কিং ব্যান্ড A এবং B সমর্থন করার জন্য গেইন সামঞ্জস্যযোগ্য (১৫০ মেগাহার্টজ); কাপলিং টাইপ: এসি এবং ডিসি উভয় কাপলিংই ঐচ্ছিক।
৪, উদাহরণস্বরূপ,ROF-BPR-350M-A-FC-AC: ৩৫০ মেগাহার্টজ স্থির গেইন ব্যালেন্সড প্রোব মডিউল, কার্যকরী তরঙ্গদৈর্ঘ্য ১৫৫০ ন্যানোমিটার (৮৫০-১৬৫০ ন্যানোমিটার), এসি কাপলড আউটপুট।
আপনার কোনো বিশেষ চাহিদা থাকলে অনুগ্রহ করে আমাদের বিক্রেতার সাথে যোগাযোগ করুন।
আমাদের সম্পর্কে
রোফিয়া অপ্টোইলেক্ট্রনিক্স মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার সোর্স, ডিএফবি লেজার, অপটিক্যাল অ্যামপ্লিফায়ার, ইডিএফএ, এসএলডি লেজার, কিউপিএসকে মডুলেশন, পালসড লেজার, ফটোডিটেক্টর, ব্যালান্সড ফটোডিটেক্টর, সেমিকন্ডাক্টর লেজার, লেজার ড্রাইভার, ফাইবার কাপলার, পালসড লেজার, ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ার, অপটিক্যাল পাওয়ার মিটার, ব্রডব্যান্ড লেজার, টিউনেবল লেজার, অপটিক্যাল ডিলে, ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার ডায়োড ড্রাইভার, ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ার, আরবিয়াম-ডোপড ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ার এবং সোর্স লেজার সহ বিস্তৃত পরিসরের ইলেক্ট্রো-অপটিক পণ্য প্রদর্শন করে।
আমরা বিশ্ববিদ্যালয় এবং গবেষণা প্রতিষ্ঠানগুলোর জন্য বিশেষভাবে ডিজাইন করা কাস্টম মডুলেটরও সরবরাহ করি, যার মধ্যে রয়েছে ১*৪ অ্যারে ফেজ মডুলেটর, অতি-নিম্ন ভিপিআই এবং অতি-উচ্চ এক্সটিংশন রেশিও মডুলেটর।
এই পণ্যগুলিতে ৪০ গিগাহার্টজ পর্যন্ত ইলেকট্রো-অপটিক ব্যান্ডউইথ, ৭৮০ ন্যানোমিটার থেকে ২০০০ ন্যানোমিটার পর্যন্ত তরঙ্গদৈর্ঘ্যের পরিসর, কম ইনসারশন লস, কম Vp এবং উচ্চ PER রয়েছে, যা এগুলিকে বিভিন্ন ধরণের অ্যানালগ আরএফ লিঙ্ক এবং উচ্চ-গতির যোগাযোগ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
রোফিয়া অপ্টোইলেক্ট্রনিক্স বাণিজ্যিক ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটর, ফেজ মডুলেটর, ইনটেনসিটি মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার আলোক উৎস, ডিএফবি লেজার, অপটিক্যাল অ্যামপ্লিফায়ার, ইডিএফএ, এসএলডি লেজার, কিউপিএসকে মডুলেশন, পালস লেজার, লাইট ডিটেক্টর, ব্যালান্সড ফটোডিটেক্টর, লেজার ড্রাইভার, ফাইবার অপটিক অ্যামপ্লিফায়ার, অপটিক্যাল পাওয়ার মিটার, ব্রডব্যান্ড লেজার, টিউনেবল লেজার, অপটিক্যাল ডিটেক্টর, লেজার ডায়োড ড্রাইভার এবং ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ারের মতো পণ্য সম্ভার সরবরাহ করে। এছাড়াও আমরা কাস্টমাইজেশনের জন্য অনেক বিশেষ মডুলেটর সরবরাহ করি, যেমন ১*৪ অ্যারে ফেজ মডুলেটর, অতি-নিম্ন ভিপিআই (Vpi), এবং অতি-উচ্চ এক্সটিংশন রেশিও মডুলেটর, যা প্রধানত বিশ্ববিদ্যালয় এবং ইনস্টিটিউটগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
আশা করি আমাদের পণ্যগুলো আপনার এবং আপনার গবেষণার জন্য সহায়ক হবে।
