ROF OCT সিস্টেম গেইন অ্যাডজাস্টেবল ব্যালেন্স ডিটেকশন মডিউল 150MHz ব্যালেন্সড ফটোডিটেক্টর
বৈশিষ্ট্য
তরঙ্গদৈর্ঘ্য প্রতিক্রিয়া: 850-1650nm (400-1100nm ঐচ্ছিক)
৩ডিবি ব্যান্ডউইথ: ডিসি-১৫০ মেগাহার্টজ
সাধারণ-মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত: > 25dB
গেইন অ্যাডজাস্টেবল: পাঁচটি গেইন গিয়ার অ্যাডজাস্টেবল
আবেদন
⚫হেটেরোডাইন সনাক্তকরণ
⚫ অপটিক্যাল বিলম্ব পরিমাপ
⚫অপটিক্যাল ফাইবার সেন্সিং সিস্টেম
⚫ (অক্টোবর)
পরামিতি
কর্মক্ষমতা পরামিতি
| পরামিতি | প্রতীক | ROF-জিবিপিআর-১৫০এম-এ-ডিসি | ROF-জিবিপিআর-১৫০এম-বি-ডিসি |
| বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা | λ | ৮৫০~১৬৫০nm | ৪০০~১১০০nm |
| ডিটেক্টরের ধরণ |
| InGaAs / পিন | সি/পিন |
| দায়িত্বশীলতা | R | ≥0।95@১৫৫০nm | ≥০.৫@৮৫০nm |
| ৩ডিবি ব্যান্ডউইথ | B | ডিসি - ১৫০, ৪৫, ৪, ০.৩, ০.১ মেগাহার্টজ | |
| সাধারণ মোড প্রত্যাখ্যান অনুপাত | সিএমআরআর | ＞২৫ ডেসিবেল | |
| উচ্চ প্রতিরোধের অবস্থায় রূপান্তর লাভ | G | 103, ১০4, ১০5, ১০6, ১০7ভি/এ | |
| শব্দ ভোল্টেজ | Vআরএমএস | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:৩০ এমভিআরএমএস ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:১২ এমভিআরএমএস ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:১০ এমভিআরএমএস ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:৬ এমভিআরএমএস | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:৩০ এমভিআরএমএস ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:১২ এমভিআরএমএস ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:১০ এমভিআরএমএস ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:৬ এমভিআরএমএস |
| সংবেদনশীলতা | S | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৬০ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-৪৭ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-৪০ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:-৩০ ডেসিবেলমিটার | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৫৭ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-৪৪ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-৩৭ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:-২৭ ডেসিবেলমিটার |
| স্যাচুরেটেড অপটিক্যাল পাওয়ার (CW) | Ps | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৩৩ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-২৩ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-১৩ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:-৩ ডেসিবেলমিটার | ডিসি - ০.১ মেগাহার্টজ:-৩০ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ০.৩ মেগাহার্টজ:-২০ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪.০ মেগাহার্টজ:-১০ ডেসিবেলমিটার ডিসি - ৪৫ মেগাহার্টজ:০ ডেসিবেলমিটার |
| অপারেটিং ভোল্টেজ | U | DC ±১৫V | |
| চলমান বর্তমান | I | <100mA | |
| সর্বাধিক ইনপুট অপটিক্যাল শক্তি | Pসর্বোচ্চ | ১০ মেগাওয়াট | |
| আউটপুট প্রতিবন্ধকতা | R | ৫০Ω | |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | Tw | -২০-৭০ ℃ | |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা | Ts | -৪০-৮৫ ℃ | |
| আউটপুট কাপলিং মোড | - | ডিফল্ট ডিসি কাপলিং (এসি কাপলিং ঐচ্ছিক) | |
| ইনপুট অপটিক্যাল সংযোগকারী | - | এফসি/এপিসি | |
| বৈদ্যুতিক আউটপুট ইন্টারফেস | - | এসএমএ | |
মাত্রা (মিমি)
তথ্য
অর্ডার তথ্য
| আরওএফ | এক্সএক্সএক্স | XX | X | XX | XX | X |
| BPR-- ফিক্সড গেইন ব্যালেন্সড ডিটেক্টর জিবিপিআর-- অ্যাডজাস্টেবল ব্যালেন্স ডিটেক্টর লাভ করুন | -৩ ডিবি ব্যান্ডউইথ： ১০ এম---১০ মেগাহার্টজ ৮০মি---৮০মিHz ২০০ মি---২০০ মিHz ৩৫০এম---৩৫০মেগাহার্টজ ৪০০মি---40০ মেগাহার্টজ ১জি---১গিগাহার্টজ ১.৬ জি---১.৬ গিগাহার্টজ
| অপারেটিং তরঙ্গদৈর্ঘ্য： এ---৮৫০~165০ এনএম (১৫৫০ ন্যানোমিটার) পরীক্ষা) বি---৩২০~১০০০nm (৮৫০ ন্যানোমিটার) পরীক্ষা) A1---900~1400nm (১০৬৪ এনএম) পরীক্ষা) A2---1200~1700nm (১৩১০ ন্যানোমিটার) or ১৫৫০ এনএম পরীক্ষা) | ইনপুট টাইপ: এফসি----ফাইবার কাপলিং FS----খালি জায়গা | কাপলিং টাইপ： ডিসি---ডিসিকাপলিং | লাভের ধরণ: শূন্য-- স্বাভাবিক লাভ এইচ--উচ্চ লাভের প্রয়োজনীয়তা |
বিঃদ্রঃ:
১,১০ এম, ৮০ মেগাহার্টজ, ২০০ মেগাহার্টজ, ৩৫০ মেগাহার্টজ এবং ৪০০ মেগাহার্টজ ব্যান্ডউইথ ডিটেক্টর অপারেটিং ব্যান্ড এ এবং বি সমর্থন করে; কাপলিং টাইপ এসি এবং ডিসি উভয় কাপলিং ঐচ্ছিক।
2, 1GHz, 1.6GHz, ওয়ার্কিং ব্যান্ড A1 এবং A2 সমর্থন করে; কাপলিং টাইপ শুধুমাত্র AC কাপলিং সমর্থিত।
৩, কার্যকরী ব্যান্ড A এবং B সমর্থন করার জন্য লাভটি সামঞ্জস্যযোগ্য (১৫০MHz); কাপলিং টাইপ এসি এবং ডিসি উভয় কাপলিং ঐচ্ছিক।
৪, উদাহরণ,আরওএফ-BPR-350M-A-FC-AC: 350MHz ফিক্সড গেইন ব্যালেন্সড প্রোব মডিউল, অপারেটিং তরঙ্গদৈর্ঘ্য 1550nm(850-1650nm), AC কাপলড আউটপুট।
* আপনার যদি বিশেষ প্রয়োজনীয়তা থাকে তবে দয়া করে আমাদের বিক্রেতার সাথে যোগাযোগ করুন।
আমাদের সম্পর্কে
রোফিয়া অপটোইলেক্ট্রনিক্স বিস্তৃত পরিসরের ইলেকট্রো-অপটিক পণ্য প্রদর্শন করে যার মধ্যে রয়েছে মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার সোর্স, ডিএফবি লেজার, অপটিক্যাল এমপ্লিফায়ার, ইডিএফএ, এসএলডি লেজার, কিউপিএসকে মড্যুলেশন, পালসড লেজার, ফটোডিটেক্টর, ব্যালেন্সড ফটোডিটেক্টর, সেমিকন্ডাক্টর লেজার, লেজার ড্রাইভার, ফাইবার কাপলার, পালসড লেজার, ফাইবার এমপ্লিফায়ার, অপটিক্যাল পাওয়ার মিটার, ব্রডব্যান্ড লেজার, টিউনেবল লেজার, অপটিক্যাল ডিলে, ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার ডায়োড ড্রাইভার, ফাইবার এমপ্লিফায়ার, এরবিয়াম-ডোপড ফাইবার এমপ্লিফায়ার এবং সোর্স লেজার।
আমরা কাস্টম মডুলেটরও সরবরাহ করি, যার মধ্যে রয়েছে 1*4 অ্যারে ফেজ মডুলেটর, অতি-নিম্ন ভিপিআই এবং অতি-উচ্চ বিলুপ্তি অনুপাত মডুলেটর, যা বিশেষভাবে বিশ্ববিদ্যালয় এবং গবেষণা প্রতিষ্ঠানের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
এই পণ্যগুলিতে ৪০ গিগাহার্জ পর্যন্ত ইলেক্ট্রো-অপটিক ব্যান্ডউইথ, ৭৮০ এনএম থেকে ২০০০ এনএম পর্যন্ত তরঙ্গদৈর্ঘ্য, কম সন্নিবেশ ক্ষতি, কম ভিপি এবং উচ্চ পিইআর বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা এগুলিকে বিভিন্ন অ্যানালগ আরএফ লিঙ্ক এবং উচ্চ-গতির যোগাযোগ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
রোফিয়া অপটোইলেকট্রনিক্স বাণিজ্যিকভাবে ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেটর, ফেজ মডুলেটর, ইনটেনসিটি মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার লাইট সোর্স, ডিএফবি লেজার, অপটিক্যাল এমপ্লিফায়ার, ইডিএফএ, এসএলডি লেজার, কিউপিএসকে মড্যুলেশন, পালস লেজার, লাইট ডিটেক্টর, ব্যালেন্সড ফটোডিটেক্টর, লেজার ড্রাইভার, ফাইবার অপটিক এমপ্লিফায়ার, অপটিক্যাল পাওয়ার মিটার, ব্রডব্যান্ড লেজার, টিউনেবল লেজার, অপটিক্যাল ডিটেক্টর, লেজার ডায়োড ড্রাইভার, ফাইবার এমপ্লিফায়ারের একটি পণ্য লাইন অফার করে। আমরা কাস্টমাইজেশনের জন্য অনেক নির্দিষ্ট মডুলেটরও সরবরাহ করি, যেমন 1*4 অ্যারে ফেজ মডুলেটর, অতি-নিম্ন ভিপিআই এবং অতি-উচ্চ বিলুপ্তি অনুপাত মডুলেটর, যা প্রাথমিকভাবে বিশ্ববিদ্যালয় এবং ইনস্টিটিউটগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
আশা করি আমাদের পণ্যগুলি আপনার এবং আপনার গবেষণায় সহায়ক হবে।
