ফাইবার পালসড লেজার চালু করুন

পরিচয় করিয়ে দিনফাইবার পালসড লেজার

 

ফাইবার পালসড লেজারগুলি হললেজার ডিভাইসযেগুলো গেইন মিডিয়াম হিসেবে রেয়ার আর্থ আয়ন (যেমন ইটারবিয়াম, আরবিয়াম, থুলিয়াম ইত্যাদি) দ্বারা ডোপ করা ফাইবার ব্যবহার করে। এগুলো একটি গেইন মিডিয়াম, একটি অপটিক্যাল রেজোনেন্ট ক্যাভিটি এবং একটি পাম্প সোর্স নিয়ে গঠিত। এর পালস জেনারেশন প্রযুক্তির মধ্যে প্রধানত রয়েছে কিউ-সুইচিং প্রযুক্তি (ন্যানোসেকেন্ড লেভেল), অ্যাক্টিভ মোড-লকিং (পিকোসেকেন্ড লেভেল), প্যাসিভ মোড-লকিং (ফেমটোসেকেন্ড লেভেল) এবং মেইন অসিলেশন পাওয়ার অ্যামপ্লিফিকেশন (MOPA) প্রযুক্তি।

নতুন শক্তি ক্ষেত্রে এর শিল্প প্রয়োগগুলোর মধ্যে রয়েছে ধাতু কাটা, ঝালাই, লেজার ক্লিনিং এবং লিথিয়াম ব্যাটারির ট্যাব কাটিং, যেখানে মাল্টি-মোড আউটপুট শক্তি দশ হাজার ওয়াট পর্যন্ত পৌঁছায়। লিডার (Lidar) ক্ষেত্রে, ১৫৫০ ন্যানোমিটার পালসড লেজারগুলো তাদের উচ্চ পালস শক্তি এবং চোখের জন্য নিরাপদ বৈশিষ্ট্যের কারণে রেঞ্জিং এবং যানবাহনে স্থাপিত রাডার সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়।

প্রধান পণ্যের প্রকারগুলির মধ্যে রয়েছে কিউ-সুইচড টাইপ, মোপা টাইপ এবং উচ্চ-ক্ষমতার ফাইবার।স্পন্দিত লেজারবিভাগ:

১. কিউ-সুইচড ফাইবার লেজার: কিউ-সুইচিং-এর মূলনীতি হলো লেজারের ভেতরে একটি লস-অ্যাডজাস্টেবল ডিভাইস যুক্ত করা। বেশিরভাগ সময় লেজারের লস অনেক বেশি থাকে এবং প্রায় কোনো আলো নির্গত হয় না। অত্যন্ত অল্প সময়ের মধ্যে, ডিভাইসটির লস কমিয়ে লেজারটিকে একটি খুব তীব্র ও সংক্ষিপ্ত পালস নির্গত করতে সক্ষম করা হয়। কিউ-সুইচড ফাইবার লেজার অ্যাক্টিভ বা প্যাসিভ উভয় পদ্ধতিতেই তৈরি করা যায়। অ্যাক্টিভ প্রযুক্তিতে সাধারণত লেজারের লস নিয়ন্ত্রণের জন্য ক্যাভিটির ভেতরে একটি ইনটেনসিটি মডুলেটর যুক্ত করা হয়। প্যাসিভ পদ্ধতিতে কিউ-মডুলেশন প্রক্রিয়া গঠনের জন্য স্যাচুরেটেড অ্যাবজরবার বা স্টিমুলেটেড রামান স্ক্যাটারিং এবং স্টিমুলেটেড ব্রিলুইন স্ক্যাটারিং-এর মতো অন্যান্য নন-লিনিয়ার প্রভাব ব্যবহার করা হয়। কিউ-সুইচিং পদ্ধতিতে উৎপন্ন পালসগুলো সাধারণত ন্যানোসেকেন্ড পর্যায়ের হয়। যদি আরও ছোট পালস তৈরি করতে হয়, তবে তা মোড-লকিং পদ্ধতির মাধ্যমে করা যেতে পারে।

২. মোড-লকড ফাইবার লেজার: এটি অ্যাক্টিভ মোড-লকিং বা প্যাসিভ মোড-লকিং পদ্ধতির মাধ্যমে অতি-সংক্ষিপ্ত পালস তৈরি করতে পারে। মডুলেটরের রেসপন্স টাইমের কারণে, অ্যাক্টিভ মোড-লকিং দ্বারা উৎপন্ন পালসের প্রস্থ সাধারণত পিকোসেকেন্ড স্তরের হয়। প্যাসিভ মোড-লকিং-এ প্যাসিভ মোড-লকিং ডিভাইস ব্যবহার করা হয়, যেগুলোর রেসপন্স টাইম খুব কম এবং যা ফেমটোসেকেন্ড স্কেলে পালস তৈরি করতে পারে।

এখানে মোল্ড লকিং-এর মূলনীতির একটি সংক্ষিপ্ত পরিচিতি দেওয়া হলো।

একটি লেজার রেজোনেন্ট ক্যাভিটিতে অসংখ্য লঙ্গিটিউডিনাল মোড থাকে। একটি রিং-আকৃতির ক্যাভিটির জন্য, লঙ্গিটিউডিনাল মোডগুলির ফ্রিকোয়েন্সি ব্যবধান λ/CCL-এর সমান, যেখানে C হলো আলোর গতি এবং CL হলো ক্যাভিটির মধ্যে সংকেত আলোর একবার আসা-যাওয়ার আলোক পথের দৈর্ঘ্য। সাধারণত, ফাইবার লেজারের গেইন ব্যান্ডউইথ তুলনামূলকভাবে বড় হয় এবং প্রচুর সংখ্যক লঙ্গিটিউডিনাল মোড একই সাথে কাজ করে। লেজারটি মোট যতগুলো মোড ধারণ করতে পারে, তা লঙ্গিটিউডিনাল মোড ব্যবধান ∆ν এবং গেইন মিডিয়ামের গেইন ব্যান্ডউইথের উপর নির্ভর করে। লঙ্গিটিউডিনাল মোড ব্যবধান যত ছোট হয়, মিডিয়ামের গেইন ব্যান্ডউইথ তত বেশি হয় এবং তত বেশি লঙ্গিটিউডিনাল মোড সমর্থন করা যায়। বিপরীতভাবে, ব্যবধান যত কম হয়, মোড সংখ্যা তত কম হয়।

৩. কোয়াসি-কন্টিনিউয়াস লেজার (QCW লেজার): এটি কন্টিনিউয়াস ওয়েভ লেজার (CW) এবং পালসড লেজারের মধ্যবর্তী একটি বিশেষ কার্যপ্রণালী। এটি তুলনামূলকভাবে কম গড় শক্তি বজায় রেখে পর্যায়ক্রমিক দীর্ঘ পালসের (ডিউটি ​​সাইকেল সাধারণত ≤১%) মাধ্যমে উচ্চ তাৎক্ষণিক শক্তি উৎপাদন করে। এটি কন্টিনিউয়াস লেজারের স্থিতিশীলতার সাথে পালসড লেজারের সর্বোচ্চ শক্তির সুবিধাকে একত্রিত করে।

 

প্রযুক্তিগত নীতি: QCW লেজারগুলি অবিচ্ছিন্নভাবে মডুলেশন মডিউল লোড করে।লেজারএই সার্কিটটি অবিচ্ছিন্ন লেজারকে উচ্চ ডিউটি ​​সাইকেল পালস সিকোয়েন্সে বিভক্ত করে, যার ফলে অবিচ্ছিন্ন এবং পালস মোডের মধ্যে নমনীয়ভাবে সুইচ করা যায়। এর মূল বৈশিষ্ট্য হলো “স্বল্পমেয়াদী বিস্ফোরণ, দীর্ঘমেয়াদী শীতলীকরণ” কৌশল। পালস গ্যাপে এই শীতলীকরণ তাপ সঞ্চয় কমায় এবং উপাদানের তাপীয় বিকৃতির ঝুঁকি হ্রাস করে।

সুবিধা ও বৈশিষ্ট্য: ডুয়াল-মোড ইন্টিগ্রেশন: এটি পালস মোডের সর্বোচ্চ শক্তিকে (যা কন্টিনিউয়াস মোডের গড় শক্তির ১০ গুণ পর্যন্ত) কন্টিনিউয়াস মোডের উচ্চ দক্ষতা ও স্থিতিশীলতার সাথে একত্রিত করে।

কম শক্তি খরচ: উচ্চ তড়িৎ-আলোকীয় রূপান্তর দক্ষতা এবং স্বল্প দীর্ঘমেয়াদী ব্যবহার ব্যয়।

বিমের গুণমান: ফাইবার লেজারের উচ্চ বিম গুণমান সূক্ষ্ম মাইক্রো-মেশিনিংয়ে সহায়তা করে।


পোস্ট করার সময়: ১০ নভেম্বর, ২০২৫