রফ ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটর ১৫৫০nm AM সিরিজ ইনটেনসিটি মডুলেটর ১০G ম্যাক-জেহেন্ডার মডুলেটর
বৈশিষ্ট্য
* কম সন্নিবেশ ক্ষতি
* উচ্চ ব্যান্ডউইথ
* কম অর্ধ-তরঙ্গ ভোল্টেজ
* কাস্টমাইজেশন বিকল্প
| রফ-এএম সিরিজ | রফ-এএম-০৭ | রফ-এএম-০৮ | রফ-এএম-১০ | রফ-এএম-১৩ | রফ-এএম-১৫ | |||
| অপারেটিংতরঙ্গদৈর্ঘ্য | ৭৮০ এনএম | ৮৫০ এনএম | ১০৬৪ এনএম | 1৩১০ এনএম | ১৫৫০ এনএম | |||
| ব্যান্ডউইথ | ১০ গিগাহার্টজ | ১০ গিগাহার্টজ | ১০/২০ গিগাহার্টজ | ২.৫ গিগাহার্টজ | 50গিগাহার্টজ | ১০ গিগাহার্টজ | 20GHz | 40গিগাহার্টজ |
| সন্নিবেশ ক্ষতি | ＜৫ ডেসিবেল | ＜৫ ডেসিবেল | ＜৫ ডেসিবেল | ＜৫ ডেসিবেল | ＜৪ ডিবি | |||
| বিলুপ্তির অনুপাত @DC | ＞2০ ডেসিবেল | ＞2০ ডেসিবেল | ＞2০ ডেসিবেল | ＞2০ ডেসিবেল | ＞2০ ডেসিবেল | |||
| VΠ @আরএফ (১ কেজিএইচজেড) | ＜৩ ভোল্ট | ＜৩ ভোল্ট | ＜৪ ভোল্ট | <3.5V | ＜6V | <5ভি | ||
| VΠ @পক্ষপাত | ＜৩.৫V | ＜৩.৫V | ＜৫ ভোল্ট | <5ভি | <8ভি | <7 ভী | ||
অর্ডার তথ্য
| রফ | AM | XX | XXG সম্পর্কে | XX | XX | XX |
| আদর্শ：সকাল---তীব্রতামডুলেটর | তরঙ্গদৈর্ঘ্য：০৭---৭৮০nm ০৮---৮৫০ এনএম ১০---১০৬০ এনএম ১৩---1৩১০nm ১৫---১৫৫০ এনএম | ব্যান্ডউইথ：১০জিHz 20GHz 40GHz 50GHz
| মনিটর পিডি:পিডি---পিডি সহ ০০ --- কোন পিডি নেই | ইন-আউট ফাইবার টাইপ：PP---বিকেল/বিকাল
| অপটিক্যাল সংযোগকারী：এফএ---এফসি/এপিসি এফপি---এফসি/পিসি এসপি---Cকাস্টমাইজেশন |
আর-এএম-১৫-১০জি
তরঙ্গদৈর্ঘ্য ১৫৫০nm ১০GHz তীব্রতা মডুলেটর
| প্যারামিটার | প্রতীক | ন্যূনতম | টাইপ | সর্বোচ্চ | ইউনিট | ||||
| অপটিক্যাল পরামিতি | |||||||||
| অপারেটিংতরঙ্গদৈর্ঘ্য | l | ১৫৩০ | 1৫৫০ | ১৫৬৫ | nm | ||||
| সন্নিবেশ ক্ষতি | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| অপটিক্যাল রিটার্ন লস | ওআরএল | -৪৫ | dB | ||||||
| সুইচ বিলুপ্তির অনুপাত @DC | ER@DC সম্পর্কে | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| গতিশীল বিলুপ্তির অনুপাত | DER সম্পর্কে | 13 | dB | ||||||
| অপটিক্যাল ফাইবার | ইনপুটবন্দর | পান্ডা পিএম ফুজিকুরা এসএম | |||||||
| আউটপুটবন্দর | পান্ডা পিএম ফুজিকুরা এসএম | ||||||||
| অপটিক্যাল ফাইবার ইন্টারফেস | FC/PC、FC/APC অথবা ব্যবহারকারীকে নির্দিষ্ট করতে হবে | ||||||||
| বৈদ্যুতিক পরামিতি | |||||||||
| অপারেটিংব্যান্ডউইথ（-৩ ডিবি） | S21 | 10 | 12 | গিগাহার্টজ | |||||
| অর্ধ-তরঙ্গ ভোল্টেজ ভিপিআই | RF | @৫০ কেজি হার্জ | ৪.৫ | 5 | V | ||||
| Bআইএএস | @পক্ষপাত | 6 | 7 | V | |||||
| বৈদ্যুতিকalফেরত ক্ষতি | S11 | -১২ | -১০ | dB | |||||
| ইনপুট প্রতিবন্ধকতা | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| পক্ষপাত | Zপক্ষপাত | 1M | W | ||||||
| বৈদ্যুতিক ইন্টারফেস | এসএমএ(চ) | ||||||||
সীমাবদ্ধতার শর্তাবলী
| প্যারামিটার | প্রতীক | ইউনিট | ন্যূনতম | টাইপ | সর্বোচ্চ |
| ইনপুট অপটিক্যাল শক্তি | Pসর্বোচ্চ | ডিবিএম | 20 | ||
| Iএনপুট আরএফ পাওয়ার | ডিবিএম | 28 | |||
| পক্ষপাত ভোল্টেজ | ভিবিয়াস | V | -15 | 15 | |
| অপারেটিংতাপমাত্রা | শীর্ষ | ℃ | -১০ | 60 | |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা | টিএসটি | ℃ | -৪০ | 85 | |
| আর্দ্রতা | RH | % | 5 | 90 |
S21 কার্ভ
&S11 কার্ভ
S21 এবং s11 বক্ররেখা
যান্ত্রিক চিত্র
| বন্দর | প্রতীক | দ্রষ্টব্য |
| ভিতরে | অপটিক্যাল ইনপুট পোর্ট | পিএম ফাইবার (১২৫μm/২৫০μm) |
| আউট | অপটিক্যাল আউটপুট পোর্ট | পিএম এবং এসএমএফ বিকল্প |
| RF | আরএফ ইনপুট পোর্ট | এসএমএ(চ) |
| পক্ষপাত | পক্ষপাত নিয়ন্ত্রণ পোর্ট | ১,২ পক্ষপাত, ৩৪-এন/সি |
রোফিয়া অপটোইলেকট্রনিক্স বাণিজ্যিকভাবে ইলেকট্রো-অপটিক মডুলেটর, ফেজ মডুলেটর, ইনটেনসিটি মডুলেটর, ফটোডিটেক্টর, লেজার লাইট সোর্স, ডিএফবি লেজার, অপটিক্যাল এমপ্লিফায়ার, ইডিএফএ, এসএলডি লেজার, কিউপিএসকে মড্যুলেশন, পালস লেজার, লাইট ডিটেক্টর, ব্যালেন্সড ফটোডিটেক্টর, লেজার ড্রাইভার, ফাইবার অপটিক এমপ্লিফায়ার, অপটিক্যাল পাওয়ার মিটার, ব্রডব্যান্ড লেজার, টিউনেবল লেজার, অপটিক্যাল ডিটেক্টর, লেজার ডায়োড ড্রাইভার, ফাইবার এমপ্লিফায়ারের একটি পণ্য লাইন অফার করে। আমরা কাস্টমাইজেশনের জন্য অনেক নির্দিষ্ট মডুলেটরও সরবরাহ করি, যেমন 1*4 অ্যারে ফেজ মডুলেটর, অতি-নিম্ন ভিপিআই এবং অতি-উচ্চ বিলুপ্তি অনুপাত মডুলেটর, যা প্রাথমিকভাবে বিশ্ববিদ্যালয় এবং ইনস্টিটিউটগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
আশা করি আমাদের পণ্যগুলি আপনার এবং আপনার গবেষণায় সহায়ক হবে।
